Características de Polarização de Transistores – Ref. DT-EL001.04

Características de Polarização de Transistores – Ref. DT-EL001.04

Descrição

Placa para estudo dos parâmetros de polarização de semicondutores.
Contém pré-montados todos os componentes eletrônicos necessários à construção de circuitos experimentais, e é dividido em blocos funcionais que podem ser interconectados e modificados por meio dos jumpers e cabos fornecidos.

Programa didático

  • Transistores NPN e PNP: operação e equações fundamentais.
  • Ganho estático do transistor.
  • Curvas características. do emissor e coletor.
  • Transistores de efeito de campo:
    – curvas características de transcondutância JFET e MOSFET.
  • MOSFET:
    – depleção MOSFET, intensificação MOSFET, comparação de JFET e MOSFET.
  • Circuito amplificador JFET, gerador de tensão e amplificador de sinal.
  • Componentes optoeletrônicos:
    – fotorresistor, fotodiodo, fototransistor, resistêncialuminosidade e tensãoluminosidade.
  • Transdutores de temperatura:
    – característica resistênciatemperatura.
  • Ligação do transistor:
    – amplificador e circuito de emissor comum, de coletor comum, de base comum.
  • Polarização do transistor:
    – circuito e característica de saída, determinação dos componentes de polarização pelos métodos analítico e gráfico.
  • Zonas de funcionamento do transistor.
  • Circuito de polarização com uma alimentação.
  • Classes de funcionamento:
    – classes A, B, C.
  • Estabilização de ponto de repouso: efeitos térmicos, circuito de estabilização com resistência de emissão e com resistência coletor-base.
  • Parâmetros de estabilidade, influência de VBE, influência de ganho, efeito da estabilização sobre os componentes de sinal.